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  • MnO2 二氧化錳晶體

    MnO2 is 2D catalytic and electronic grade semiconducting 2D material. In the bulk form, MnO2 has 1.5 eV predicted band gap while it has been anticipated to increase to 2.0 eV in the monolayer form [1]

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:5712.2
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):958
  • MoO3 三氧化鉬晶體

    a-MoO3 is a layered vdW semiconductor with a crystal structure that belongs to the space group Pbnm 62 (see unit cell parameters below).

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:6481.15
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):870
  • GeP 磷化鍺晶體

    GeP has highly anisotropic dispersions of band structures, with a layer-dependent indirect band gap from (theoretically predicted) 1.68 eV of monolayer to 0.51 eV of bulk.

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:8678.15
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):859
  • GeAs 砷化鍺晶體

    Our single crystal GeAs (Germanium arsenide) crystals come with guaranteed anisotropy, electronic, and optical grade crystal quality. They are developed at our facilities using

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:7579.65
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):790
  • SbSI 硅化銻晶體

    Commercially available first ferroelectric semiconductor SbSI 1D and 2D vdW crystals. Bulk V-VI-VII semiconductor has a orthorhombic structure with the space group of Pna21

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:5712.2
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
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  • 石墨烯-HIPS(高抗沖聚苯乙烯)-400g

    石墨烯-HIPS(高抗沖聚苯乙烯)長絲是由Graphene 3D Lab制造的產(chǎn)品,是一種高科技工程FDM材料,增強(qiáng)了石墨烯填料,可實(shí)現(xiàn)高精度3D打印。該長絲是半柔性的,具有高抗沖擊性。它還具有改進(jìn)的層間粘合性,為3D打印物體提供了出色的機(jī)械性能。 用作托盤基質(zhì)的HIPS(高抗沖聚苯乙烯)聚合物是彈性,堅(jiān)韌的聚合物。石墨烯納米片用作填料,通過增加其拉伸強(qiáng)度,抗沖擊性和耐磨性來增強(qiáng)長絲的機(jī)械性能。

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:1427.94
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):1085
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