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CVD銅基單層氮化硼薄膜0

簡(jiǎn)要描述：Single layer h-BN (Boron Nitride) monolayer thick film is grown onto 50 um thick copper foils. h-BN is an insulator with a direct band gap of 6 eV with strong ionic bonding between B-N atoms.

  • 更新時(shí)間：2024-06-03
  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：921

詳細(xì)介紹

Single layer h-BN (Boron Nitride) monolayer thick film is grown onto 50 um thick copper foils. h-BN is an insulator with a direct band gap of 6 eV with strong ionic bonding between B-N atoms. Our h-BN CVD process has been adopted in order that defect density has been kept low (~1E10-1E11 cm-2) and single domain sizes have been increased to reduce 1D grain boudary defect concentrations. Monolayer h-BN sheets measure ~5cm x 5cm or ~2x2 inches in size.

Properties of h-BN


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