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簡(jiǎn)要描述:基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上尺寸:1cmx1cm; 8片將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98%石墨烯薄膜是連續(xù)的,具有小孔和有機(jī)殘留物每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層(超過(guò)95%),偶爾有少量多層(低于5%的雙層)由于沒(méi)有A-B堆疊
詳細(xì)介紹
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸:1cmx1cm; 8片
將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98%
石墨烯薄膜是連續(xù)的,具有小孔和有機(jī)殘留物
每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層(超過(guò)95%),偶爾有少量多層(低于5%的雙層)
由于沒(méi)有A-B堆疊順序。石墨烯薄膜彼此隨機(jī)取向。
薄層電阻:215-700Ω/平方
硅/二氧化硅晶圓的特性:
氧化層厚度:285nm
顏色:紫羅蘭色
晶圓厚度:525微米
電阻率:0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號(hào)/摻雜劑:P /硼
方向:<100>
前表面:拋光
背面:蝕刻
應(yīng)用:
石墨烯電子和晶體管
導(dǎo)電涂料
航空航天工業(yè)應(yīng)用
支持金屬催化劑
微執(zhí)行器
MEMS和NEMS
化學(xué)和生物傳感器
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