硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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簡要描述:硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si表面電阻:小于600Ω/sq定做:<300Ω/sq透明度:> 95%制備方法:1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
詳細(xì)介紹
硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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