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二硒化鉬晶體 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-P型 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)特性:P型半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:99.995%
硫硒化鉬晶體 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) 晶體尺寸:~6毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):取決于合金成分:a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
硫硒化鉬晶體 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) 晶體尺寸:~6毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):取決于合金成分:a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
硒化鎢鉬晶體 MoWSe2(Molybdenum Tungsten Diselenide) 晶體尺寸:6毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):取決于合金成分:a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
二硒化鈮晶體 2H-NbSe2(Niobium Selenide) 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:金屬,半導(dǎo)體(TC ~ 7.2k) Charge Density Waves (CDW) system, Tcdw ~33K 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體
二硒化鉑晶體 PtSe2 (Platinum Selenide) 晶體尺寸:2-3毫米 電學(xué)性能:半金屬 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
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