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二硒化鋯晶體 ZrSe2 (Zirconium Selenide) 晶體尺寸:~8毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.377, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
晶體尺寸:亞毫米大小 電學(xué)特性:金屬 晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡本? 晶胞參數(shù):a = 1.217nm,B = 0.3688nm,C = 0.8381nm,α=γ= 90°,β= 102.87 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX
晶體尺寸:8毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡绷? 晶胞參數(shù):a = 0.541nm,B = 0.375nm,C = 0.944nm,α=γ= 90°,γ= 97.50 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX
三硒化鋯晶體(99.995%) ZrSe3 (Zirconium Triselenide) 晶體尺寸:~8毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡本? 晶胞參數(shù):a = 0.541 nm, b = 0.375 nm, c = 0.944 nm, α = γ = 90°, γ = 97.50° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
二硒化鉬晶體 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-N型 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)特性:N型半導(dǎo)體 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:99.995%
二硒化鎢晶體 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 晶體尺寸:~10毫米 電學(xué)性能:半導(dǎo)體,P型 晶體結(jié)構(gòu):六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%
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