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  • 碲化砷 As2Te3

    晶體尺寸:10毫米 電學性能:半導體,拓撲絕緣體,熱電材料 晶體結構:單斜晶結構 晶胞參數(shù):a = 1.430nm,B = 0.403nm,C = 0.986nm,α=γ= 90°,β= 95.40 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:8172.84
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):935
  • 二碲化鉭 TaTe2

    晶體尺寸:10毫米 電學性能:金屬,電荷密度波(CDW)(TCDW ~ 170K) 晶體結構:單斜晶 晶胞參數(shù):a = 1.479nm,B = 0.364nm,C = 0.934nm,α=γ= 90°,β= 110.71 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:8700.12
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):976
  • 碲化錫 Sb2Te3

    Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal Sb2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:8700.12
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):1035
  • 碲化鋯 ZrTe3 (Zirconium Tritelluride)

    電學性能:半金屬,電荷密度波(CDW,~ 63K),超導體(TC ~ 2K) 晶體結構:單斜磷 晶胞參數(shù):a = 0.5864nm,B = 0.3918nm,C = 1.009nm,α=γ= 90°,γ= 98 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%晶體尺寸:8毫米 表征方法:XRD、拉曼、EDX

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:8700.12
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):884
  • 二碲化鉬晶體(99.995)-

    二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶體尺寸:~10毫米 電學性能:N型半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:8700.12
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):872
  • 二碲化鉬晶體(99.995)

    二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶體尺寸:~10毫米 電學性能:N型半導體 晶體結構:六邊形 晶胞參數(shù):a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995%

    更新時間:2024-06-03
    產(chǎn)品價格:8700.12
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):907
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