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二氯化鐵晶體(99.995%) FeCl2 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服
二碘化鎳晶體(99.995%) NiI2 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服
碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI 晶體類型:合成 晶體純度:>99.995% 低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料: FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服
Titanium bromide (TiBr3) is a 2D antiferromagnetic / ferromagnetic semiconductor. Crystals exhibit perfect 0001 plane orientation as well as perfect in-plane crystallinity as evidenced by XRD
The first and only commercially available Mg(OH)? crystals were grown using float zone synthesis technique to yield perfectly layered, large size
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