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  • 二硫化鉬/硫化鎢 MoS2/WS2異質(zhì)結(jié)

    兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱(chēng)為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線(xiàn)可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料，具體請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€(xiàn)客服或聯(lián)系我們

    更新時(shí)間：2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格：7200
    廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：779
  • 二硫化鉬/化鎢/氮化硼/石墨烯 異質(zhì)結(jié)

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    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：786
  • 二硫化鎢/二硒化鎢 WS2/WSe2異質(zhì)結(jié)

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    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：805
  • 二硫化鉬/二硒化鎢 MoS2/WSe2異質(zhì)結(jié)

    兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱(chēng)為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線(xiàn)可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料，具體請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€(xiàn)客服或聯(lián)系我們

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    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：764
  • 硅基的CVD石墨烯與氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)

    CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer Properties of Graphene/h-BN Film: Single Layer Graphene Film on Single Layer h-BN Film transferred onto 285 nm (p-doped) SiO

    更新時(shí)間：2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格：4394
    廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：732
  • 二維異質(zhì)結(jié)材料（進(jìn)口）

    二維異質(zhì)結(jié)材料（進(jìn)口）Substrate: Sapphire (c-cut) Quartz (Silica) TEM grids (please supply grids) Thermal Oxide (SiO2/Si) Polyethylene terephthalate – PET Substrates Pick your own substrates

    更新時(shí)間：2024-06-03
    產(chǎn)品價(jià)格：8900
    廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
    訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：847
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